[2024.11] 전자전기공학전공 3학년 송민지, 4학년 박동이 국제학술대회 논문 발표 (조성재 교수)

미국전기전자학회(IEEE)와 대한전자공학회(IEIE) 공동 주최로 지난 2024년 11월 3일부터 6일까지 베트남 다낭에서 개최된 국제학술대회인 제9회 International Conference on Consumer Electronics(ICCE) Asia에서 전자전기공학전공 3학년 송민지양, 4학년 박동이양이 논문을 발표하였다. 

송민지양은 “Ge Fraction and Temperature Dependent Physics-Based Unified Electron Mobility Model of SiGe”이라는 제목의 논문을 통해 저전력 반도체소자 기술 개발에 중요한 역할을 하고 있는 SiGe 합금과 관련하여, Ge의 함량 및 반도세소자의 동작 온도에 따른 SiGe의 전자 이동도를 모델링한 결과를 발표하였다. 반도체소자 설계에 있어 정확한 전자 이동도를 반영하는 것은 매우 중요한 과정으로, 송민지양은 1950년대 이후의 논문들과 최근 실험 결과들을 통해 얻은 다양한 Ge 함량과 온도 조건에서의 SiGe의 전자 이동도를 총망라하여 정교한 모델링을 수행하고, 데이터베이스를 구축한 공로를 인정받았다.

박동이양은 “Self-Heating Effects on Current Characteristics in Advanced Short-Channel Field-Effect Transistors”라는 제목으로 논문을 발표하였다. 동작 온도가 상승함에 따라 반도체의 동작 특성에는 예기치 못한 열화들이 나타난다. 최근 트랜지스터의 고속 동작을 위해 극단적인 축소화가 이루어지는 가운데, 게이트의 장악력 향상을 위해 채널이 플로팅되는 구조의 소자 개발이 이루어지고 있어 self-heating 현상이 불가피하다. 박동이양은 고속 동작 시 필연적으로 발생하는 열이 소자의 주변으로 효과적으로 방출되지 못할 때의 열화 양상들을 면밀히 분석하고, 소자 및 회로 설계 과정에서 고려해야 하는 사항들을 발표하여 연구 내용이 중요성을 인정받았다.

IEEE-IEIE 공동주관 2024 ICCE Asia에서 논문을 발표한 3학년 송민지(좌), 4학년 박동이(우)