전자전기공학과 석사과정에 재학중인 김수민양이 2025년 6월 24일에서 27일 제주에서 개최된 2025년도 대한전자공학회 하계종합학술대회에서 “Fabrication, Characterization, and Assessment for Applications in Artificial Intelligence of Vertically-Layered Ultra-Thin-Channel 2T DRAM Featuring 30-nm Gate-Length Inference Transistor(30-nm 게이트 길이의 추론 트랜지스터를 갖는 적층형 초박막 2T DRAM 소자 제작, 평가 및 인공지능 응용)”라는 제목의 논문을 발표하여 최우수논문상을 수상하였다. 

김수민양은 나노전자소자 및 집적기술 연구실(NDIL. 지도교수: 조성재)에서 석사과정을 밟으며 차세대 DRAM 셀 및 공정 기술을 개발하고, 저전력 인공지능 응용 가능성을 검증하였다. 한 개의 트랜지스터와 한 개의 커패시터로 구성되는(1T1C) 기존의 DRAM 셀의 구조에서 벗어나 커패시터를 트랜지스터로 대체한 새로운 구조의 DRAM 셀을 설계하고, 집적공정을 통해 제작, 성능을 평가하였다. 2T DRAM 기술을 하드웨어 기반 저전력 인공지능 시스템에 적용함으로써, 하나의 트랜지스터는 학습 기능을, 다른 하나의 트랜지스터는 추론 기능을 독립적으로 수행함으로써 비파괴적인 추론(읽기) 동작이 가능해지고 메모리 대역폭을 획기적으로 높일 수 있게 되었다. 

특히, 측벽이격구조 패터닝(sidewall spacer patterning)이라는 정교한 공정 기술을 활용하여 추론 트랜지스터의 게이트 길이를 30 nm까지 미세화시키는 데 성공하였다. 이를 통해 고속 추론 동작이 가능토록 하였으며, 가중치 유지 시간을 100초 이상으로 늘리는(기존의 1T1C DRAM 대비 1,000배 이상에 해당) 획기적인 결과를 발표하였다. 

이러한 연구 결과의 우수성과 연구 수행에 들인 오랜 기간의 노력을 인정받아 올해 대한전자공학회 하계종합학술대회 최우수논문상 선정에서 치열한 경쟁과 평가 끝에 최우수상을 수상하였으며, 더불어 삼성전자의 후원으로 300만원의 부상을 수여받았다. 

김수민양의 수상 소식은 6월 30일자 중앙일보에도 게재되었다. 

https://www.joongang.co.kr/article/25347835

석사과정 김수민 2025 대한전자공학회 하계종합학술대회 최우수논문상 수상